TK5R3E08QM,S1X
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK5R3E08QM,S1X
- 商品编号
- C6284854
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.98nF |
商品概述
AO3414采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 高速开关
- 低栅极电荷:QSW = 17 nC(典型值)
- 低输出电荷:Qoss = 66 nC(典型值)
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.2 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 80 V)
- 增强型:Vth = 2.5 至 3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.7 mA)
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器