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TK12A50D(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:500V 电流:12A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12A50D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C6284816
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具备出色的雪崩特性。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.45 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10\mu A(最大值)(VDS = 500V)
- 增强型模式:Vth = 2.0 至 4.0V(VDS = 10V,ID = 1mA)
应用领域
- 同步整流
- 锂电池保护板
- 逆变器