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TSG12N06AT
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TSG12N06AT
- 商品编号
- C691709
- 商品封装
- DFN-8-EP(6.1x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 56.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.455nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
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