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TTD100N04AT
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TTD100N04AT
- 商品编号
- C691678
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.17nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 266pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽功率 MOSFET 技术
- 低导通电阻 RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
应用领域
- DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流
- 电信和工业领域的隔离式 DC/DC 转换器