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TTD120N04AT
停产 40V N沟道沟槽MOSFET
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- 描述
- 特性：沟槽功率MOSFET技术。 低漏源导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行优化。应用：DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TTD120N04AT
- 商品编号
- C691677
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 143W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 132nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.179nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 439pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 587pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器