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GS8128036GT-250I实物图
  • GS8128036GT-250I商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GS8128036GT-250I

GS8128036GT-250I

品牌名称
广船国际技术
商品型号
GS8128036GT-250I
商品编号
C6265994
商品封装
TQFP-100(14x20)​
包装方式
托盘
商品毛重
9.6605克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
属性参数值
功能特性自动掉电功能

商品概述

GS8128018/36GT是一款150,994,944位高性能同步SRAM,带有2位突发地址计数器。尽管该类型最初是为支持高性能CPU的二级缓存应用而开发的,但现在该器件可应用于同步SRAM应用,范围从DSP主存储到网络芯片组支持。地址、数据输入输出、芯片使能(E1和E3)、地址突发控制输入(ADSP、ADSC、ADV)和写控制输入(Bx、BW、GW)是同步的,并由正边沿触发的时钟输入(CK)控制。输出使能(G)和掉电控制(ZZ)是异步输入。突发周期可以通过ADSP或ADSC输入启动。在突发模式下,后续的突发地址在内部生成,并由ADV控制。突发地址计数器可以通过线性突发顺序(LBO)输入配置为按线性或交错顺序计数。突发功能不是必需的。每个周期都可以加载新地址,而不会降低芯片性能。数据输出寄存器的功能可以由用户通过FT模式引脚(引脚14)控制。将FT模式引脚置低使RAM处于直通模式,使输出数据绕过数据输出寄存器。将FT置高使RAM处于流水线模式,激活上升沿触发的数据输出寄存器。字节写操作通过使用字节写使能(BW)输入与一个或多个单独的字节写信号(Bx)组合来执行。此外,全局写(GW)可用于一次写入所有字节,而不管字节写控制输入如何。低功耗(睡眠模式)通过断言(高)ZZ信号或停止时钟(CK)来实现。在睡眠模式期间,内存数据得以保留。GS8128018/36GT在2.5V或3.3V电源下工作。所有输入与3.3V和2.5V兼容。单独的输出电源(VDDQ)引脚用于将输出噪声与内部电路解耦,并且与3.3V和2.5V兼容。

商品特性

  • 用于用户可配置直通或流水线操作的FT引脚
  • 单周期取消选择(SCD)操作
  • 2.5V或3.3V ±10%的核心电源
  • 2.5V或3.3V的输入输出电源
  • 用于线性或交错突发模式的LBO引脚
  • 模式引脚上的内部输入电阻允许模式引脚浮空
  • 默认设置为交错流水线模式
  • 字节写(BW)和/或全局写(GW)操作
  • 内部自定时写周期
  • 便携式应用的自动掉电功能
  • 符合6/6 RoHS标准的100引脚TQFP封装

应用领域

  • DSP主存储
  • 网络芯片组支持

数据手册PDF