GS81302TT37GE-450I
GS81302TT37GE-450I
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS81302TT37GE-450I
- 商品编号
- C6266016
- 商品封装
- FPBGA-165(15x17)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 144Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V | |
| 读写时间 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 工作电流 | - | |
| 待机电流 | 315mA | |
| 功能特性 | 边界扫描(JTAG)功能;内置延迟锁定环 |
商品概述
GS81302TT07/10/19/37E 符合 SigmaDDR-II+ SRAM 引脚标准,用于通用 I/O 同步 SRAM。它们是 150,994,944 位(144Mb)SRAM。GS81302TT07/10/19/37E SigmaDDR-II+ SRAM 是低功耗、低电压 HSTL I/O SRAM 系列中的一个元素,设计用于以所需速度运行,以实现经济高效的高性能网络系统。
商品特性
- 2.0 时钟延迟
- 同步读写 SigmaDDR 接口
- 通用 I/O 总线
- JEDEC 标准引脚和封装
- 双数据率接口
- 字节写入控制在数据输入时采样
- 突发长度为 2 的读写操作
- 数据 (D)、字节写入 (BW) 和时钟 (K, K) 输入上的双范围片上终端 (ODT)
- 1.8 V ±100 mV 核心电源供应
- 1.5 V 或 1.8 V HSTL 接口
- 带自定时延迟写入的流水线读操作
- 完全一致的读写流水线
- ZQ 引脚用于可编程输出驱动强度
- 数据有效引脚 (QVLD) 支持
- 符合 IEEE 1149.1 JTAG 边界扫描
- 165 凸点,15 mm × 17 mm,1 mm 凸点间距 BGA 封装
- 符合 RoHS 标准的 165 凸点 BGA 封装可用
应用领域
- 读主导应用
- 块传输应用
- GS81314LQ36GK-133I
- GS81314LQ37GK-933I
- GTC08AF-28-12PLC
- RFF-1402-Q
- RGC1/10C1620FTP
- GTC08F18-11P-025-LC
- RFF-1476
- SXT32418BA17-37.400M
- RGC1/10C1691BTP
- RFLPF10050G9D2T
- SXT32418BA27-12.288M
- SXT32417DC38-14.7456M
- RGC1/10C1782FTP
- RFLPF16081G8D3T
- SXT32418BA27-19.6608M
- RGC1/10C17R4DTP
- RFLPF16082G6W0T
- SXT32417DC38-24.576M
- RGC1/10C1821DTP
- RFMTA310819IMAB701
- RGC1/10C1822BTP


