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LTC7060JMSE#TRPBF

100V 半桥驱动器带浮地和可调死区时间

描述: 带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LTC7060JMSE#TRPBF
商品编号: C690117
商品封装: MSOP-12-EP-0.65mm
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

LTC7060以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，电源电压最高可达100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET。其他特性包括欠压锁定（UVLO）、三态PWM输入、可调节的导通/关断延迟和直通保护。

商品特性

独特的对称浮动栅极驱动器架构
高抗噪性，可承受输入和输出地之间±101的接地电位差
最大输入电压100V，与IC电源电压VCC无关
VCC工作电压范围为6V至14V
栅极驱动器电压范围为4V至14V
0.8Ω下拉、1.5Ω上拉，实现快速导通/关断
自适应直通保护
可编程死区时间
带使能引脚的三态PWM输入
VCC欠压/过压锁定（UVLO/OVLO）和浮动电源欠压锁定
驱动双N沟道MOSFET
漏极开路故障指示器
采用散热增强型12引脚MSOP封装
正在进行AEC-Q100汽车级认证

应用领域

汽车和工业电源系统
电信电源系统
半桥和全桥转换器

数据手册PDF

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交货周期

订货15-17个工作日

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)

个

起订量：2500 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	工作电压	6V~14V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	18ns
	下降时间(tf)	13ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+150℃
	静态电流(Iq)	400uA