SUD25N15-52-T4-E3
1个N沟道 耐压:150V 电流:25A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD25N15-52-T4-E3
- 商品编号
- C6241062
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 136W；3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.725nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
RM60N40LD采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 结温175 °C
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100% Rq测试
- 符合欧盟2002/95/EC号RoHS指令
应用领域
-初级侧开关-N沟道MOSFET