SUP40010EL-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUP40010EL-GE3
- 商品编号
- C6241067
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.115nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 880pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 单封装集成 N 沟道 MOSFET 和肖特基势垒二极管。
- MOSFET 特性：
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 160 mΩ（典型值）（@VGS = 3.6 V）
- 1.8 V 栅极驱动电压。
- 二极管特性：
- 低正向电压：VF = 0.51 V（典型值）（@IF = 500 mA）
应用领域
- DC-DC 转换器
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