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SUP50020E-GE3

1个N沟道耐压:60V 电流:120A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SUP50020E-GE3
商品编号: C6241069
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

SMPD 封装可使用标准的拾放和回流焊接工艺轻松表面贴装到印刷电路板 (PCB) 上。无需昂贵的螺丝、电缆、母线或手工焊接触点。它仅重 8g，比同类传统功率模块轻得多（通常轻 50%），从而使电源系统重量更轻。此外，由于其紧凑和超薄的封装，多个器件可使用同一个散热器，节省了 PCB 空间。体积更小、重量更轻的另一个好处是，它能更好地抵御振动和重力，特别是在便携式设备中使用时，可延长这些设备的预期寿命并提高其可靠性。采用直接铜键合 (DCB) 基板技术可实现高达 4.5kV 的陶瓷隔离，并提供一个电气隔离的散热片。DCB 提供低热阻以及同类最佳的功率和温度循环能力。ISOPLUS 的优势还便于在同一基板上集成多个裸片 —— 可实现降压、升压、相臂、全桥、半桥配置。新型表面贴装 SMPD 封装是笨重的传统功率模块的理想替代部件。

商品特性

TrenchFET功率MOSFET
最高结温175 °C
Qgd/Qgs比 < 0.25
可使用逻辑电平栅极驱动
100%进行Rg和UIS测试

应用领域

电源
次级同步整流
DC/DC转换器
电动工具
电机驱动开关
DC/AC逆变器
电池管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	120A
	导通电阻(RDS(on))	2.4mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	125W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	128nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.115nF
	反向传输电容(Crss)	420pF
	工作温度	-55℃~+175℃