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S25HS512TFAMHB013

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HS512TFAMHB013
商品编号: C6215326
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.747克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Mbit

	属性	参数值
	工作电压	1.7V~2V
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；ECC纠错；软件写保护；上电复位

商品特性

采用45nm MirrorBit技术，每个存储阵列单元可保存2位数据
页模式：地址空间由256KB页组成
高配置2：地址空间由上下均等分割的32个4KB扇区和其余的256KB扇区组成
256或512字节的页编程缓冲区
1024字节（32×32字节）的OTP安全硅阵列
支持Quad SPI，包括1S - 1S - 4S、1S - 4S - 4S、1S - 4D - 4D、4S - 4S - 4S、4S - 4D - 4D协议，SDR模式最高83Mbps（166MHz时钟速度），DDR模式最高102Mbps（102MHz时钟速度）
支持Dual SPI，支持1S - 2S - 2S协议，SDR模式最高41.5Mbps（166MHz时钟速度）
支持SPI，支持1S - 1S - 1S协议，SDR模式最高21Mbps（166MHz时钟速度）
具备业界首个符合ISO 26262 ASIL B标准且支持ASIL D的NOR闪存安全功能
EnduranceFlex架构：提供高耐久性和长期数据保存能力
行完整性CRC：检测存储阵列中的错误
数据流程：报告设备初始化失败，检测配置损坏并提供恢复预测
内置错误纠正码（ECC）：执行存储阵列数据的单比特错误纠正和双比特错误检测（SECDED）
擦除状态指示器，指示擦除过程中的电源丢失
存储阵列和设备配置的寄存器块保护配置
单个存储阵列扇区级别的高级扇区保护
上电后可立即访问存储阵列
支持CS#小格方式（JEDEC）/独立RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚的硬件复位
可输出描述设备功能和特性的串行闪存参数（SFDP），包括设备ID、制造商ID、固有ID
256Mb设备：存储阵列最小640,000次编程/擦除循环
512Mb设备：存储阵列最小1,280,000次编程/擦除循环
1Gb设备：主阵列最小2,560,000次编程/擦除循环
所有设备：4KB扇区最小300,000次编程/擦除循环，至少25年数据保存
电源电压：1.7V ~ 2.0V（HS - T）、2.7V ~ 3.6V（HS - T）
工作温度范围：工业级（-40°C ~ +85°C）、工业级闪存（-40°C ~ +105°C）、车载用AEC - Q100等级3（-40°C ~ +85°C）、车载用AEC - Q100等级2（-40°C ~ +105°C）、车载用AEC - Q100等级1（-40°C ~ +125°C）
256MB和512MB封装：16引脚SOIC（300mil） - SO3016、24球BGA 6×8mm、16引脚SOIC（300mil）、8触点WSON 6×8mm
1GB封装：16引脚SOIC（300mil） - SO3016、24球BGA 8×8mm、16引脚SOIC（300mil）

数据手册PDF

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