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DMN2451UFB4-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.3A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2451UFB4-7B
- 商品编号
- C6183671
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 660mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 占位面积仅0.6mm2,比SOT23小十三倍
- 封装高度0.4mm,适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 负载开关