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DMN2026UVT-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2026UVT-13
- 商品编号
- C6183662
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.4nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 887pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ZXMS6005DGQ是一款自带保护功能的低端IntellifET™ MOSFET，具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护逻辑电平功能。ZXMS6005DGQ非常适合作为通用开关，由3.3V或5V微控制器驱动，适用于标准MOSFET不够耐用的恶劣环境。
商品特性
-低输入电容-低导通电阻-快速开关速度-静电放电保护栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能-背光照明