CY15B104QN-20LPXIT

EXCELON™ LP CY15X104QN是一款采用先进铁电工艺的低功耗4 Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠地保存数据达151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X104QN能以总线速度执行写操作，无写入延迟。数据在成功传输到设备后会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写入耐久性，能够支持10¹⁵次读写循环，比EEPROM的写入循环次数多1000万倍。这些特性使CY15X104QN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据采集（写入循环次数可能至关重要）以及对串行闪存或EEPROM写入时间过长可能导致数据丢失有严格要求的工业控制应用。CY15X104QN作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。它采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该器件集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。此外，它还提供了可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定的电路板或系统。

• 4 Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为512 K × 8
• 几乎无限的耐久性，可达1000万亿（10¹⁵）次读写循环
• 151年的数据保留期
• 英飞凌即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 快速串行外设接口（SPI）
• 最高50 MHz频率
• 支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
• 复杂的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
• 使用写禁止（WRDI）指令进行软件保护
• 对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
• 设备ID和序列号
• 设备ID包含制造商ID和产品ID
• 唯一ID
• 序列号
• 专用256字节特殊扇区F-RAM
• 专用特殊扇区读写
• 存储内容可承受多达三次标准回流焊接循环
• 低功耗
• 40 MHz时典型工作电流为2.4 mA
• 典型待机电流为2.3 μA
• 典型深度掉电模式电流为0.70 μA
• 典型休眠模式电流为0.1 μA
• 低电压操作
• CY15V104QN：VDD = 1.71 V至1.89 V
• CY15B104QN：VDD = 1.8 V至3.6 V
• 商业和工业工作温度
• 商业工作温度：0°C至+70°C
• 工业工作温度：-40°C至+85°C
• 封装
• 8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
• 8引脚栅格阵列四方扁平无引脚（GQFN）封装（不推荐用于新设计）
• 8引脚超薄细间距焊盘栅格阵列（UFLGA）封装
• 符合有害物质限制（RoHS）标准

• 数据采集
• 工业控制