CY15B108QSN-108BKXIT

EXCELON™ Ultra CY15x108QSN 是一款采用先进铁电工艺的高性能 8 兆位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于 RAM。它在提供 151 年可靠数据保持的同时，消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存不同，CY15x108QSN 以总线速度执行写操作，不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后，数据会立即写入存储器阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有极高的写入耐久性。CY15x108QSN 能够支持 10^14 次读/写周期，比 EEPROM 的写入周期多 1 亿倍。这些特性使得 CY15x108QSN 非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如从写入次数可能至关重要的数据采集，到串行闪存长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制领域。CY15x108QSN 将 8 兆位 F-RAM 与高速四线 SPI（QPI）SDR 和 DDR 接口相结合，增强了 F-RAM 技术的非易失性写入能力。该器件包含只读器件 ID 和唯一 ID 功能，允许 SPI 总线主控制器确定制造商、产品密度、产品版本和每个部件的唯一 ID。该器件还提供只读的唯一序列号，可用于识别电路板或系统。该器件支持片上 ECC 逻辑，可检测并纠正每 8 字节单元数据中的 2 位错误，还具备报告 8 字节单元数据中 3 位错误的能力。CY15x108QSN 还支持循环冗余校验（CRC）功能，可用于检查存储器阵列中存储数据的完整性。

• 8 兆位铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为 1024 K × 8
• 几乎无限的耐久性，达 100 万亿（10^14）次读/写周期
• 151 年数据保持期
• Infineon 即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 单线和多线 I/O 串行外设接口（SPI）
• 串行总线接口 SPI 协议
• 支持所有 SDR 模式传输的 SPI 模式 0（0， 0）和模式 3（1， 1）
• 支持所有 DDR 模式传输的 SPI 模式 0（0， 0）
• 扩展 I/O SPI 协议
• 双线 SPI（DPI）协议
• 四线 SPI（QPI）协议
• SPI 时钟频率
• 高达 108 MHz 频率的 SPI 单数据速率（SDR）
• 高达 46 MHz 频率的 SPI 双数据速率（DDR）
• 用于存储器读/写的就地执行（XIP）功能
• 写保护、数据安全性和数据完整性
• 使用写保护（WP）引脚的硬件保护
• 软件块保护
• 嵌入式纠错码（ECC）和循环冗余校验（CRC）以增强数据完整性
• ECC 可检测并纠正 2 位错误；若发生 3 位错误，则不纠正但通过 ECC 状态寄存器报告
• CRC 可检测原始数据的任何意外更改
• 扩展电子签名
• 器件 ID 包含制造商 ID 和产品 ID
• 唯一 ID
• 用户可编程序列号
• 专用的 256 字节特殊扇区 F-RAM
• 专用的特殊扇区写入和读取
• 内容可承受多达三次标准回流焊循环
• 高速下的低功耗
• 108 MHz SPI SDR 模式下典型工作电流为 12 mA
• 108 MHz QSPI SDR 模式下典型工作电流为 20 mA
• 46 MHz QSPI DDR 模式下典型工作电流为 15.5 mA
• 典型待机电流为 105 µA
• 典型深度掉电模式电流为 0.9 µA
• 典型休眠模式电流为 0.1 µA
• 低电压操作
• CY15V108QSN：V_DD = 1.71 V ~ 1.89 V
• CY15B108QSN：V_DD = 1.8 V ~ 3.6 V
• 工作温度：-40℃ ~ +85℃
• 封装
• 24 球细间距球栅阵列（FBGA）
• 符合有害物质限制（RoHS）规定