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GBI7254NMCR
低边驱动
- 描述
- 双通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器，供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI7254NMCR
- 商品编号
- C6152383
- 商品封装
- DFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124968克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 工作电压 | 4.5V~24V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 6ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 14ns | |
| 传播延迟 tpHL | 15ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.9V~2.35V | |
| 输入低电平(VIL) | 900mV~1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 124uA | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护 |
商品概述
GBI7254 和 GBI7254C 是双通道高速低边栅极驱动器，可为 MOSFET、IGBT 和 GaN 功率器件提供 5A 峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件具有最小 14ns 输入到输出传播延迟和 24V 电源轨，使其适用于高频功率转换器应用。输入可接受低至 -5V 的负电压，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞兼容 TTL 和 CMOS 低电压逻辑。器件的每个通道采用非重叠驱动器设计，以避免输出级直通。其工作温度范围为 -40℃ 到 125℃。GBI7254 和 GBI7254C 采用 SOIC-8L 封装。
商品特性
- 5A 峰值源电流和 5A 峰值灌电流
- 4.5V 至 24V 宽电源电压范围
- 低至 -5V 的负输入电压能力
- 快速传播延迟：14ns
- 快速上升和下降时间：8ns 和 6ns
- TTL 输入逻辑阈值
- 欠压锁定保护
- 低静态电流：64uA
- 输入悬空时输出低电平
- 每个通道具有独立的使能引脚 (GBI7254)
- 采用 SOIC-8L 封装
应用领域
- 功率 MOSFET 栅极驱动器
- IGBT 栅极驱动器
- 开关电源
- 电机控制
- 太阳能发电