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NX7002AK2,215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 325mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 330pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.4pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
-开关速度极快-沟槽MOSFET技术-ESD保护
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
- NMP1K2-KKHCKK-00
- NX8045GB-24.000000MHZ
- NMP1K2-KKHECK-00
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- NMP1K2-KKHHH#-08
- O 10,0-JTP32CSV-F-K-1,8-0909-1015-LF
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- NMP1K2-KKHHHH-08
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- NMP1K2-KKHHK#-03
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