BR25A512F-3MGE2

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；掉电/上电保护电路；噪声抑制功能
	工作电压	2.5V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	4mA
	待机电流	10uA
	读取访问时间(tA)	-

BR25A512-3M是一款采用SPI总线接口的512Kbit串行EEPROM。

最高10MHz的高速时钟操作
通过HOLDB端子实现等待功能
可通过编程将部分或全部存储阵列设置为只读存储区
适用于电池供电的2.5V至5.5V单电源操作
页写模式最多支持128字节
适用于SPI总线接口，模式(CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
自定时编程周期
低电流消耗：写入时(5V)典型值0.7mA，读取时(5V)典型值2.4mA
读取操作时具有地址自动递增功能
防止写入错误：上电时写保护、通过命令码(WRDI)写保护、通过WPB引脚写保护、通过状态寄存器(BP1, BP0)设置写保护块
低电压下防止写入错误
数据保持时间超过100年
写入擦除周期超过100万次
位格式为64K × 8
初始交付数据：存储阵列内容为FFh，状态寄存器WPEN、BP1、BP0为0
封装尺寸：SOP8为5.00mm × 6.20mm × 1.71mm，SOP-J8为4.90mm × 6.00mm × 1.65mm，TSSOP-B8为3.00mm × 6.40mm × 1.20mm