BR93A86RFVM-WMTR
BR93A86RFVM-WMTR
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR93A86RFVM-WMTR
- 商品编号
- C6132352
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 2MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护功能;内置上电复位(POR);噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 工作电流 | 4.5mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
BR93Axx-WM是一款采用三线串行接口的串行EEPROM。
商品特性
- 三线通信(片选、串行时钟、串行数据输入/输出,输入与输出共享)
- 宽工作温度范围:-40℃ ~ +105℃
- 支持高速2MHz时钟操作(2.5V至5.5V)
- 支持快速写入(最大写入时间5ms)
- 1Kbit至16Kbit容量产品采用相同封装与引脚布局
- 2.5V至5.5V单电源工作
- 读取操作时具备地址自动递增功能
- 写入误操作防护功能
- 上电时写入禁止
- 通过命令码实现写入禁止
- 低电压时写入误操作防护功能
- 编程周期自动擦除与自动结束功能
- 通过READY/BUSY信号指示编程状态
- 低电流消耗
- 写入操作时(5V):1.2mA(典型值)
- 读取操作时(5V):0.3mA(典型值)
- 待机状态时(5V):0.1μA(典型值)(CMOS输入)
- TTL兼容(输入/输出)
- 数据保持期长达40年(Ta ≤ 25℃)
- 擦写次数高达1,000,000次(Ta ≤ 25℃)
- 出厂时所有地址数据为FFFFh
- 符合AEC-Q100认证
应用领域
- 汽车电子
- BR93G46FVT-3BGE2
- BR93G46NUX-3TTR
- BR93G56FJ-3AGTE2
- BR93G76FJ-3AGTE2
- BR93G86FVM-3GTTR
- BR93H46RF-2LBH2
- BR93H66RF-WCE2
- BR93L66RFV-WE2
- BR93LC46F-WE2
- BU99022NUX-3TR
- BR24A08F-WME2
- BR24C01-WDS6TP
- BR24C04-DS6TP
- BR24C04-RMN6TP
- BR24C04-WMN6TP
- BR24C16-DS6TP
- BR24G04FVT-3GE2
- BR24G08F-3AGTE2
- BR24G128NUX-5TR
- BR24G256FJ-5E2
- BR24G256FV-3GTE2


