LTC1154CS8#TRPBF
高压侧微功率 MOSFET 驱动器
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- 描述
- 单高端栅极驱动器允许使用低成本N沟道FET进行高端开关应用。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨以上,无需外部组件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行,待机电流为8μA,工作电流为85μA,可在几乎所有系统中实现最高效率。芯片上包含可编程过流检测。可以添加时间延迟,以防止在高浪涌电流负载上误触发。还提供一个高电平有效关断输入,可直接连接到标准PTC热敏电阻以实现热关断。提供一个开漏输出,用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效使能输入,用于成组控制多个开关。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC1154CS8#TRPBF
- 商品编号
- C674679
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174498克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 110us | |
| 下降时间(tf) | 36us | |
| 特性 | 短路保护(SCP);过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 静态电流(Iq) | 8uA |
商品概述
LTC1154单高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本N沟道FET。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨之上,无需外部元件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行,待机电流为8µA,工作电流为85µA,几乎可在所有系统中实现最高效率。 芯片上集成了可编程过流检测功能。可添加时间延迟,以防止高浪涌电流负载出现误触发。还提供了一个高电平有效的关断输入,可直接与标准PTC热敏电阻连接以实现热关断。提供一个漏极开路输出,用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效的使能输入,用于成组控制多个开关。 LTC1154提供8引脚DIP和8引脚SOIC两种封装。
商品特性
- 完全增强N沟道功率MOSFET
- 8µA I₀待机电流
- 85µA I₀导通电流
- 无需外部电荷泵电容
- 4.5V至18V电源范围
- 短路保护
- 通过PTC热敏电阻实现热关断
- 状态输出指示关断
- 提供8引脚SOIC和PDIP封装
应用领域
- 笔记本电脑电源开关
- SCSI终端电源开关
- 蜂窝电话电源管理
- 电池充电与管理
- 高端工业和汽车开关
- 步进电机和直流电机控制
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