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LTC1163CS8#TRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LTC1163CS8#TRPBF

三通道、1.8V 至 6V 高压侧 MOSFET 驱动器

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品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
LTC1163CS8#TRPBF
商品编号
C674713
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型MOSFET
驱动通道数3
属性参数值
灌电流(IOL)-
工作电压1.8V~6V
上升时间(tr)-
工作温度0℃~+70℃

商品概述

LTC1163/LTC1165 三路低压 MOSFET 驱动器能够通过价格低廉、导通电阻 RDS(ON) 低的 N 沟道开关,从低至 1.8V 的电源切换与电源或地相连的负载。LTC1165 具有反相输入,可直接替代 P 沟道 MOSFET 开关,同时保持系统驱动极性。LTC1163 具有同相输入。 微功耗运行,待机电流为 0.01μA,工作电流为 95μA,电源电压范围为 1.8 至 6V,使 LTC1163/LTC1165 非常适合 2 至 4 节电池供电的应用。LTC1163/LTC1165 也适用于标称电源为 3V 以下、3.3V 和 5V 的应用。 LTC1163/LTC1165 内部电荷泵可将栅极电压提升至比 3.3V 电源轨高 8V,从而充分增强价格低廉的 N 沟道,适用于高端或低端开关应用。 LTC1163/LTC1165 提供 8 引脚 DIP 和 8 引脚 SOIC 两种封装。

商品特性

  • 工作电压范围为 1.8V 至 6V
  • 待机电流为 0.01μA
  • 在 3.3V 时每通道工作电流为 95μA
  • 充分增强 N 沟道开关
  • 无需外部电荷泵组件
  • 内置栅极电压钳位
  • 易于防止电源瞬变
  • 可控制开关导通和关断时间
  • 与 5V、3V 和 3V 以下逻辑系列兼容
  • 提供 8 引脚 SOIC 封装

应用领域

  • PCMCIA 卡 3.3V/5V 开关
  • 2 节电池高端负载开关
  • 升压调节器关断至零待机电流
  • 替代 P 沟道开关
  • 笔记本电脑电源管理
  • 掌上电脑电源管理
  • 便携式医疗设备
  • 混合 3.3V 和 5V 电源切换

数据手册PDF

优惠活动

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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