LTC1154HS8#PBF

LTC1154单高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本N沟道FET。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨之上，无需外部元件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行，待机电流为8µA，工作电流为85µA，几乎可用于所有系统，实现最高效率。 芯片上集成了可编程过流检测功能。可添加时间延迟，以防止高浪涌电流负载误触发。还提供一个高电平有效的关断输入，可直接与标准PTC热敏电阻连接，实现热关断功能。提供一个漏极开路输出，用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效的使能输入，用于成组控制多个开关。 LTC1154提供8引脚DIP和8引脚SOIC两种封装。

• 完全增强N沟道功率MOSFET
• 8µA I₀ 待机电流
• 85µA I₀ 导通电流
• 无需外部电荷泵电容
• 4.5V至18V电源范围
• 短路保护
• 通过PTC热敏电阻实现热关断
• 状态输出指示关断状态
• 提供8引脚SOIC和PDIP封装

• 笔记本电脑电源开关
• SCSI终端电源开关
• 手机电源管理
• 电池充电与管理
• 高端工业和汽车开关
• 步进电机和直流电机控制