晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：4.7k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：20 @ 10mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-523
供应商器件封装：SOT-523

	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	-
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	150mW

	属性	参数值
	直流电流增益(hFE)	20@10mA,5V
	输入电阻	4.7kΩ
	电阻比率	1
	工作温度	-55℃~+150℃

DDTC143EE-7-F

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