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BSC084P03NS3GATMA1
1个P沟道 耐压:30V 电流:78.6A
- 描述
- 特性：单P沟道，采用SuperSO8封装。 符合JEDEC标准，适用于目标应用。 工作温度为150℃。 经过100%雪崩测试。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。 无铅，符合RoHS标准。应用：电池管理。 负载开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC084P03NS3GATMA1
- 商品编号
- C672354
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@105uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.52nF |
商品特性
- 采用SuperSO8封装的单P沟道器件
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 工作温度达150°C
- 经过100%雪崩测试
- 栅源电压（VGS） = 25 V，特别适用于笔记本应用
- 无铅；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤