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IPP200N25N3GXKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP200N25N3GXKSA1

IPP200N25N3GXKSA1

商品型号
IPP200N25N3GXKSA1
商品编号
C672351
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
3.4克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,基于超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的后续产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换流时的出色鲁棒性以及优异的ESD能力。此外,极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

  • N沟道,常电平
  • 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 工作温度达175°C
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
  • 按照IEC61249-2-21标准无卤
  • 非常适合高频开关和同步整流

应用领域

  • PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级,例如用于PC电源、适配器、LCD与PDP电视、照明、服务器、电信和UPS

数据手册PDF