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IXFA14N60P
参数完善中
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用设计,采用最新的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件。
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