IRFP9240
P沟道,电流:-12A,耐压:-200V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFP9240
- 商品编号
- C6062443
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的工艺技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- -10A和 -12A,-200V和 -150V
- rDS(ON) = 0.50Ω和0.70Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗