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BRCS20N06DP

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
TO-252 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
商品型号
BRCS20N06DP
商品编号
C668671
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.35克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)85W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.06nF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。

商品特性

  • 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。

应用领域

  • 用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。

数据手册PDF