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SI2333-TP
1个P沟道 耐压:12V 电流:6A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 出色的导通电阻RDS(ON)。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI2333-TP
- 商品编号
- C669001
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 236pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这种增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和森萨塔科技（Supertex）成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 森萨塔科技的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 出色的RDS(ON)
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 可根据要求添加后缀“-HF”提供无卤产品
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准。详见订购信息)
应用领域
- 电机控制
- 转换器
- 放大器
- 开关
- 电源电路
- 驱动器（继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等）