1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5A 电流:4A
- 5+: ¥0.728636 / 个
- 50+: ¥0.603874 / 个
- 150+: ¥0.541492 / 个
- 500+: ¥0.494706 / 个
- 3000+: ¥0.457277 / 个 (折合1圆盘1371.83元)
- 6000+: ¥0.438563 / 个 (折合1圆盘1315.69元)
5+: |
¥0.728636 / 个 |
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¥0.603874 / 个 |
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¥0.541492 / 个 |
500+: |
¥0.494706 / 个 |
3000+: |
¥0.457277 / 个 (折合1圆盘1371.83元) |
6000+: |
¥0.438563 / 个 (折合1圆盘1315.69元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 5A;4A | |
功率(Pd) | - | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@4.5V,4.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@4.5V;12nC@2.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 800pF@8V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 125pF@8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |