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SI3415B-TP
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.6A
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(on)。 高速开关。 ESD保护高达2.5KV（HBM）。 沟槽功率低压MOSFET技术。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI3415B-TP
- 商品编号
- C669007
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V,5.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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