GS8182T19BGD-400I
GS8182T19BGD-400I
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- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS8182T19BGD-400I
- 商品编号
- C6050239
- 商品封装
- FPBGA-165(13x15)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 18Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V | |
| 读写时间 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 520mA | |
| 待机电流 | 185mA | |
| 功能特性 | 边界扫描(JTAG)功能;内置延迟锁定环 |
商品概述
GS8182T19/37BD符合通用I/O同步SRAM的SigmaDDR-II+ SRAM引脚标准。它们是18,874,368位(18Mb)的SRAM。GS8182T19/37BD SigmaDDR-II SRAM是低功耗、低电压HSTL I/O SRAM系列的一部分,旨在以实现经济高效的高性能网络系统所需的速度运行。从系统架构的角度来看,通用I/O SRAM在以读为主或块传输应用中很有吸引力。因此,SigmaDDR-II+ SRAM接口和真值表针对突发读和写操作进行了优化。
商品特性
- 2.0时钟延迟
- 同步读写SigmaDDR-II接口
- 公共I/O总线
- JEDEC标准引脚排列和封装
- 双数据率接口
- 字节写入(x36和x18)功能
- 突发长度为2的读写
- 1.8V ±100mV核心电源供电
- 1.5V或1.8V HSTL接口
- 具有自定时延迟写入的流水线读操作
- 完全一致的读写流水线
- ZQ引脚用于可编程输出驱动强度
- 符合IEEE 1149.1 JTAG的边界扫描
- 165凸点,13mm × 15mm,1mm凸点间距BGA封装
- 符合RoHS的165凸点BGA封装可用
应用领域
- 读为主的应用
- 块传输应用


