商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环 |
商品概述
GS8182T19/37BD符合通用I/O同步SRAM的SigmaDDR-II+ SRAM引脚标准。它们是18,874,368位（18Mb）的SRAM。GS8182T19/37BD SigmaDDR-II SRAM是低功耗、低电压HSTL I/O SRAM系列的一部分，旨在以实现经济高效的高性能网络系统所需的速度运行。从系统架构的角度来看，通用I/O SRAM在以读为主或块传输应用中很有吸引力。因此，SigmaDDR-II+ SRAM接口和真值表针对突发读和写操作进行了优化。
商品特性
- 2.0时钟延迟
- 同步读写SigmaDDR-II接口
- 通用I/O总线
- JEDEC标准引脚和封装
- 双倍数据速率接口
- 字节写入（x36和x18）功能
- 2次突发读和写
- 1.8V ±100mV核心电源
- 1.5V或1.8V HSTL接口
- 带自定时延迟写入的流水线读操作
- 完全连贯的读和写流水线
- 用于可编程输出驱动强度的ZQ引脚
- 符合IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
- 165凸点、13mm×15mm、1mm凸点间距的BGA封装
- 符合RoHS标准的165凸点BGA封装可选
应用领域
- 读为主的应用
- 块传输应用