GS8673ET36BGK-675I

品牌名称: 广船国际技术
商品型号: GS8673ET36BGK-675I
商品编号: C6050260
商品封装: BGA-260(14x22)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	内置ECC功能；边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环

商品概述

SigmaDDR - IIIe系列SRAM是SigmaQuad - IIIe/SigmaDDR - IIIe高性能SRAM系列中采用通用I/O的部分。尽管与GSI第二代网络SRAM（SigmaQuad - II/SigmaDDR - II系列）非常相似，但这第三代SRAM系列提供了新特性，可实现更高速度，例如用户可配置的片上输入终端、改进的输出信号完整性和可调节的流水线长度。GS8673ET18/36BGK SigmaDDR - IIIe ECCRAM是同步设备，采用双单端主时钟CK和CK（上划线）来控制地址和控制输入寄存器以及所有输出时序，KD和KD（上划线）时钟用于控制数据输入寄存器。SigmaDDR - IIIe B2 ECCRAM的每次内部读写操作比设备I/O总线宽两倍，使用输入数据总线解复用器和输出数据复用器处理数据。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法，可检测和纠正所有单比特内存错误，预计这些设备的软错误率（SER）< 0.002 FITs/Mb，相比无片上ECC的同类SRAM有5个数量级的改进。

商品特性

片上ECC，软错误率几乎为零
可配置读取延迟（3.0或2.0个周期）
同时读写的SigmaDDR - IIIe接口
通用I/O总线
双倍数据速率接口
2次突发读写
流水线读取操作
完全连贯的读写流水线
标称1.35 V的VDD
1.2 V JESD8 - 16A BIC - 3兼容接口
1.5 V HSTL接口
用于可编程输出驱动阻抗的ZQ引脚
用于可编程输入终端阻抗的ZT
可配置输入终端
符合IEEE 1149.1 JTAG的边界扫描
260球、14 mm × 22 mm、1 mm球间距BGA封装 - GK：6/6符合RoHS标准的封装

数据手册PDF

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