GS881Z36CGD-300I

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品牌名称: 广船国际技术
商品型号: GS881Z36CGD-300I
商品编号: C6050264
商品封装: FPBGA-165(13x15)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能

商品概述

GS881Z18C(T/D)/GS881Z32C(T/D)/GS881Z36C(T/D) 是一款9Mb同步静态SRAM。NBT SRAM，如ZBT、NtRAM、NoBL或其他管道读/双延迟写或流通读/单延迟写SRAM，通过消除在从读周期切换到写周期时需要插入取消选择周期，允许利用所有可用的总线带宽。由于它是同步设备，地址、数据输入和读/写控制输入在输入时钟的上升沿捕获。突发顺序控制（LBO）必须连接到电源轨以进行正确操作。异步输入包括睡眠模式使能、ZZ和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制，并在任何时候关闭RAM的输出驱动器。写周期内部自定时，并由时钟输入的上升沿启动。此功能消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成，并简化了输入信号时序。GS881Z18C(T/D)/GS881Z32C(T/D)/GS881Z36C(T/D) 可由用户配置为在管道模式或流通模式下操作。作为管道同步设备操作时，除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外，该设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读周期，管道SRAM输出数据在访问周期期间由边沿触发的输出寄存器临时存储，然后在下一个时钟上升沿释放到输出驱动器。GS881Z18C(T/D)/GS881Z32C(T/D)/GS881Z36C(T/D) 采用高性能CMOS技术实现，并提供JEDEC标准的100引脚TQFP封装。

商品特性

用户可配置的管道和流通模式
NBT（无总线转向）功能允许零等待读写读总线利用率
与管道和流通NtRAM、NoBL和ZBT SRAM完全引脚兼容
IEEE 1149.1 JTAG兼容边界扫描
2.5 V或3.3 V ±10%核心电源
2.5 V或3.3 V I/O电源
LBO引脚用于线性或交错突发模式
与2M、4M和18M器件引脚兼容
字节写操作（9位字节）
3个芯片使能信号，便于深度扩展
ZZ引脚用于自动掉电
JEDEC标准封装
符合RoHS的100引脚TQFP和165凸点BGA封装可用

数据手册PDF

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