- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS):60 Volt
- 导通电阻(RDS(on)):1 Ω
- YNV05T10-0G
- VCCM600S-DDAC-DK000
- D38999/26FF32AE
- D38999/26FF32PAL
- YO0321500000G
- ZW-01-09-T-S-545-090
- VCE03US48
- D38999/26FF32SDL
- YO1501500000G
- VCE05US12
- ZW-01-10-S-S-510-120
- D38999/26FF35SE-LC
- ZW-01-10-T-S-650-090
- YO2001500000G
- VCE40US05
- VCF250841R50JB
- D38999/26FF35SNL
- YP0321500000G
- VCKW1151CA3S-TR
- ZW-01-11-T-S-700-110
- D38999/26FG11AB