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BSH205G2
参数完善中
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
~~- 低阈值电压-低导通电阻-沟槽MOSFET技术-增强的功率耗散能力,达890 mW-通过AEC-Q101认证
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