温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
-低阈值电压-低导通电阻-沟槽MOSFET技术-增强的功率耗散能力,达890 mW-通过AEC-Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路
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采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
-低阈值电压-低导通电阻-沟槽MOSFET技术-增强的功率耗散能力,达890 mW-通过AEC-Q101认证
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路