BUK7507-30B,127
1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7507-30B,127
- 商品编号
- C5956009
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 157W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.427nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。这种“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复和具备高恢复dv/dt能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss/Ciss比值，使其具备出色的抗噪声能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，即使在极高频率下开关，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 低导通电阻,导通损耗低
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C,适用于对散热有要求的环境
应用领域
- 12 V负载
- 通用电源开关
- 汽车系统
- 电机、灯具和螺线管