- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK964R2-55B/C
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.665nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 466pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.044nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±15V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证,适用于汽车关键应用。
商品特性
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 符合Q101标准
- 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V和24 V负载
- 通用功率开关
- 汽车系统
- 电机、灯具和螺线管
- BUS0021
- BUS004K
- BVN-V-R002-1.0
- BVSD-2032-PC
- BVT-I-R004-1.0
- BVT-I-R004-5.0
- BVT-M-R001-1.0
- BW-N40W5+
- BW-S1W2+
- BW-S40W5+
- BW21S7511D01TF
- BWA-9O6-AS
- BWA-ANTKIT-002
- BWA-CURRENT-TRANSFORMER-150A
- BWCC00201208900M02
- BWCM000604048N2J00
- BWCM000604048N7J00
- BWCM0011070511NGH8
- BWCM001107051N5CH8
- BWCM0011070522NGL8
- BWCM001107052N4GL8