ADMV1010AEZ-R7

ADMV1010是一款紧凑型砷化镓(GaAs)设计的单片微波集成电路(MMIC) I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的封装，优化用于12.6 GHz至15.4 GHz频率范围内的点对点微波无线电设计。ADMV1010优化为低噪声、上边带（低侧本振(LO)）镜像抑制下变频器。

ADMV1010提供15 dB的变频增益和25 dB的镜像抑制。该器件使用射频(RF)低噪声放大器(LNA)，后接一个同相/正交(I/Q)双平衡混频器，其中驱动放大器驱动本振(LO)。提供了IF1和IF2混频器输出，并需要外部90°混合器来选择所需的边带。I/Q混频器拓扑减少了对不需要的边带进行滤波的需求。相比于混合式单边带下变频器组件，ADMV1010是一种更小的选择，并且通过允许使用表面贴装制造工艺消除了键合线的需要。

ADMV1010下变频器采用紧凑的、热增强的4.9 mm x 4.9 mm、32端子LCC封装。其工作温度范围为-40°C至+85°C。

• 点对点微波无线电
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