SIHP10N40D-GE3
1个N沟道 耐压:400V 电流:10A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP10N40D-GE3
- 商品编号
- C5919053
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 526pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
N沟道12 V（漏源极）MOSFET，采用PowerPAK 1212 - 8封装。PowerPAK 1212 - 8是PowerPAK SO - 8的衍生产品，采用相同封装技术，可最大化芯片面积。芯片附着垫底部外露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO - 8的优势融入更小的封装中，具备同等水平的热性能。其占地面积与TSOP - 6相当，比标准TSSOP - 8小40%以上，芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多，热性能比SO - 8好一个数量级，比TSSOP - 8好20倍，能利用任何PC板散热器能力，与TSSOP - 8相比，可降低结温，还能使芯片效率提高约20%。单双版PowerPAK 1212 - 8与单双版PowerPAK SO - 8引脚输出相同，1.05 mm的低高度使其适用于空间受限的应用。
商品特性
- 提供无卤选项
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装，尺寸小且高度低至1.07 mm
- 100%进行栅极电阻测试
应用领域
- 同步整流-负载点