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7025L20PFGI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

7025L20PFGI

高速8K x 16双端口静态RAM

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描述
是一款高速8K x 16双端口静态随机存取存储器,可作为独立的128K位双端口随机存取存储器,或作为组合主/从双端口随机存取存储器用于32位或更多字长的系统。该设备提供两个独立端口,具有独立的控制、地址和输入/输出引脚,允许对内存中的任何位置进行独立、异步的读写访问。芯片使能(CE)控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。采用CMOS高性能技术制造,这些设备通常仅消耗750mW的功率。低功耗(L)版本提供电池备份数据保留功能,2V电池的典型功耗为500μW。采用陶瓷84引脚PGA、84引脚扁平封装、PLCC和100引脚TQFP封装。
商品型号
7025L20PFGI
商品编号
C5912462
商品封装
TQFP-100(14x14)​
包装方式
托盘
商品毛重
9.346666克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量128Kbit
工作电压4.5V~5.5V
属性参数值
读写时间20ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流320mA
待机电流200uA

商品概述

IDT7025是一款高速8K x 16双端口静态随机存取存储器(SRAM)。它既可以作为独立的128K位双端口RAM使用,也可以作为主/从双端口RAM组合,用于32位或更大字长的系统。在32位或更宽的内存系统应用中采用IDT主/从双端口RAM方式,可实现全速、无差错运行,无需额外的分立逻辑。

该器件提供两个独立端口,配备独立的控制、地址和输入/输出(I/O)引脚,允许对内存中的任何位置进行独立、异步的读写操作。由芯片使能(CE)控制的自动掉电功能,可使每个端口的片上电路进入极低的待机功耗模式。

这些器件采用CMOS高性能技术制造,典型功耗仅为750mW。低功耗(L)版本具备电池备份数据保留功能,使用2V电池时典型功耗为500μW。

IDT7025采用陶瓷84引脚针栅阵列(PGA)、84引脚扁平封装、塑料有引脚芯片载体(PLCC)和100引脚薄型四方扁平封装(TQFP)产品按照MIL - PRF - 38535 QML的最新版本制造,非常适合对性能和可靠性要求极高的应用。

商品特性

  • 真正的双端口存储单元,允许同时读取同一存储位置
  • 高速访问
    • 商用:15/17/20/25/35/55ns(最大值)
    • 工业用:20ns(最大值)
  • 低功耗运行
    • IDT7025S 工作状态:750mW(典型值) 待机状态:5mW(典型值)
    • IDT7025L 工作状态:750mW(典型值) 待机状态:1mW(典型值)
  • 独立的高字节和低字节控制,以实现与复用总线的兼容性
  • 使用主/从选择功能,在级联多个器件时,IDT7025可轻松将数据总线宽度扩展到32位或更宽
    • 主设备:M/S = H时,用于忙(BUSY)输出标志
    • 从设备:M/S = L时,用于忙(BUSY)输入
  • 中断标志
  • 片上端口仲裁逻辑
  • 端口间信号量信令的全片上硬件支持
  • 任一端口均可完全异步操作
  • 电池备份操作 — 2V数据保留
  • TTL兼容,单5V(±10%)电源
  • 提供84引脚针栅阵列(PGA)、扁平封装、塑料有引脚芯片载体(PLCC)和100引脚薄型四方扁平封装(TQFP)
  • 特定速度可选工业温度范围(-40°C ~ +85°C)
  • 提供环保产品,详见订购信息

数据手册PDF