71V3578YS133PF

IDT71V3576/78是高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K x 36/256K x 18。这些SRAM包含写入、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许SRAM根据决策生成自定时写入，该决策可留到写入周期结束时做出。突发模式功能为系统设计人员提供了最高水平的性能，因为IDT71V3576/78可以为呈现给SRAM的单个地址提供四个周期的数据。内部突发地址计数器从处理器接收第一个周期地址，启动访问序列。输出数据的第一个周期将在流水线中延迟一个周期，然后在下一个上升时钟沿可用。如果选择突发模式操作（ADV = 低电平），则后续三个周期的输出数据将在下三个上升时钟沿提供给用户。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。IDT71V3576/78 SRAM采用IDT最新的高性能CMOS工艺，封装形式为JEDEC标准的14mm x 20mm 100引脚薄型塑料四方扁平封装（TQFP）、119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列（fBGA）。

• 128K x 36、256K x 18内存配置
• 支持高系统速度：商用和工业用：
• 150MHz 3.8ns时钟访问时间
• 133MHz 4.2ns时钟访问时间
• LBO输入选择交错或线性突发模式
• 具有全局写入控制（GW）、字节写入使能（BWE）和字节写入（BWx）的自定时写入周期
• 3.3V核心电源
• 由ZZ输入控制掉电
• 3.3V I/O
• 可选 - 边界扫描JTAG接口（符合IEEE 1149.1标准）
• 封装形式为JEDEC标准的100引脚塑料薄型四方扁平封装（TQFP）、119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列（fBGA）