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MDT60N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- MDT60N06采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT60N06D
- 商品编号
- C5890264
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07 mm
- 针对快速开关优化的 PWM
应用领域
- 初级侧开关
- N 沟道 MOSFET