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MDT35P10D
1个P沟道 电流:35A
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- 描述
- MDT35P10D采用先进的技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT35P10D
- 商品编号
- C5890267
- 商品封装
- TO252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4346克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.315nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
2SJ358C是一款专为通用开关设计的P沟道垂直型MOSFET，该器件可由4.0V电源直接驱动。
商品特性
- 可由4.0V电源直接驱动。
- 低导通电阻 RDS(on)1最大为143mΩ（VGS = -10V，ID = -2.0A） RDS(on)2最大为179mΩ（VGS = -4.5V，ID = -2.0A） RDS(on)3最大为190mΩ（VGS = -4.0V，ID = -2.0A）
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