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MDT60N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- MDT60N10D采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT60N10D
- 商品编号
- C5890265
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.72nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
MDT60N10D 采用了先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻 RDS(ON) 和低栅极电荷特性。它适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 60 A,RDS(ON) < 16.5 m Ω(VGS = 10 V时)
- 高密度单元设计,降低导通电阻
- 具备完整雪崩电压和电流特性
- 高EAS下稳定性和均匀性良好
- 采用散热性出色的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源