S26HL02GTFGBHM040
S26HL02GTFGBHM040
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S26HL02GTFGBHM040
- 商品编号
- C5880897
- 商品封装
- FBGA-24(8x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | ECC纠错；上电复位 |
商品概述
英飞凌SEMPER™闪存系列产品是高速CMOS、MIRRORBIT™ NOR闪存设备，符合JEDEC JESD251扩展SPI（xSPI）规范。SEMPER™闪存专为功能安全而设计，按照ISO 26262标准开发，以实现ASIL - B合规性和ASIL - D就绪性。带有HYPERBUS™接口的SEMPER™闪存设备支持HYPERBUS™接口以及传统（×1）SPI。两个接口都以串行方式传输事务，减少了接口连接信号的数量。SPI支持SDR，而HYPERBUS™支持DDR。HYPERBUS™接口DDR在数据（DQ）信号上每个时钟周期传输两个数据字节。对SEMPER™闪存的读写操作是面向突发的。
商品特性
- 采用英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，每个存储阵列单元存储两位数据
- 支持多芯片封装（MCP），有02GT双芯片封装（DDP）2×1 Gb芯片和04GT四芯片封装（QDP）4×1 Gb芯片
- 有扇区架构选项，包括统一架构（地址空间由所有256 KB扇区组成）和混合架构（两种配置）
- 页面编程缓冲区为256或512字节
- 有1024字节（32×32字节）的OTP安全硅区域（SSR）
- 采用HYPERBUS™接口，符合JEDEC扩展SPI（JESD251）标准，DDR选项最高运行速度达332 MBps（166 MHz时钟速度），支持数据选通（DS）；传统（×1）SPI也符合JEDEC扩展SPI（JESD251）标准，SDR选项最高运行速度达21 MBps（166 MHz时钟速度）
- 带有HYPERBUS™接口的SEMPER™闪存设备支持在传统SPI（×1）或HYPERBUS™接口（×8）下默认启动
- 具备安全特性，是行业首个符合ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D做好准备的NOR闪存，有英飞凌耐力灵活架构，提供高耐力和长保留分区，接口CRC检测主机控制器与SEMPER™闪存设备之间通信接口的错误，数据完整性CRC检测存储阵列中的错误，SafeBoot报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项，内置纠错码（ECC）纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误（SECDED），扇区擦除状态指示器用于擦除期间的掉电情况
- 具备保护特性，有基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护，可通过CS#信号方法（JEDEC）和单个RESET#引脚进行硬件复位
- 有串行闪存可发现参数（SFDP）描述设备功能和特性，具备设备标识、制造商标识和唯一标识
- 主阵列至少有2,560,000次编程 - 擦除循环，4 KB扇区至少有300,000次编程 - 擦除循环，数据保留时间至少25年
- 供电电压为1.7 - 2.0 V（HS - T）和2.7 - 3.6 V（HL - T）
- 有工业级（-40°C至+85°C）、工业增强级（-40°C至+105°C）、汽车AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）、汽车AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）、汽车AEC - Q100 1级（-40°C至+125°C）
- 采用24球BGA 8×8 mm封装