S26HL512TFPBHM010

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S26HL512TFPBHM010
商品编号: C5885180
商品封装: FBGA-24(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

商品特性

45纳米MIRRORBIT技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
扇区架构选项：统一架构（地址空间由全部256KB扇区组成）和混合架构（配置1：地址空间由三十二个4KB扇区组成，位于顶部或底部，其余扇区均为256KB；配置2：地址空间由三十二个4KB扇区组成，在顶部和底部平均分配，其余扇区均为256KB）
页编程缓冲区为256或512字节
1024字节（32×32字节）的一次性可编程安全硅区域
HYPERBUS接口：兼容JEDEC扩展SPI标准；DDR选项运行速率高达400MBps（200MHz时钟速度）；支持数据选通以简化高速系统中的读取数据捕获
传统（x1）SPI接口：兼容JEDEC扩展SPI标准；SDR选项运行速率高达21MBps（166MHz时钟速度）
支持默认启动模式为传统SPI（x1）或HYPERBUS接口（x8）
功能安全特性：符合ISO26262 ASIL B标准并准备支持ASIL D；提供高耐久性和长保持分区；接口CRC检测主机控制器与设备之间的通信错误；数据完整性CRC检测存储阵列错误；安全启动报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项；内置错误校正码纠正存储阵列数据的单比特错误并检测双比特错误；扇区擦除状态指示器用于擦除期间断电情况
保护特性：基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护；上电后立即访问存储阵列的自动启动功能；通过CS#信号方法（JEDEC）和独立RESET#引脚进行硬件复位；描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数；设备标识、制造商标识和标识
数据完整性：256Mb器件主阵列最小640,000次编程-擦除周期；512Mb器件主阵列最小1,280,000次编程-擦除周期；1Gb器件主阵列最小2,560,000次编程-擦除周期；所有器件4KB扇区最小300,000次编程-擦除周期；最小25年数据保持时间
供电电压：1.7V至2.0V（HS-T）和2.7V至3.6V（HL-T）
等级/温度范围：工业级（-40°C至+85°C）、工业增强级（-40°C至+105°C）、汽车AEC-Q100等级3（-40°C至+85°C）、汽车AEC-Q100等级2（-40°C至+105°C）、汽车AEC-Q100等级1（-40°C至+125°C）
封装：256Mb和512Mb器件采用24球BGA 6×8毫米封装；1Gb器件采用24球BGA 8×8毫米封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	存储容量	512Mbit
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	绝对写保护；ECC纠错；上电复位