Name: Infineon(英飞凌) S25HL512TDPMHB010
Brand: Infineon(英飞凌)
SKU: C5880858
Price: 37.11 CNY
Availability: OutOfStock

采用45纳米技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
提供多种扇区架构选项：统一架构、混合配置1、混合配置2
页编程缓冲区为256或512字节
一次性可编程安全硅阵列为1024字节
支持多种四线串行外设接口协议，包括1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D
单倍数据速率模式最高运行速度达83MBps，双倍数据速率模式最高运行速度达102MBps
支持双线串行外设接口协议，单倍数据速率模式最高运行速度达41.5MBps
支持单线串行外设接口协议，单倍数据速率模式最高运行速度达21MBps
提供功能安全特性，包括符合ISO26262 ASIL B标准、高耐久性与长保持时间分区、数据完整性循环冗余校验、安全启动功能、内置错误纠正码以及扇区擦除状态指示器
提供保护特性，包括传统块保护和高级扇区保护
支持上电后立即访问存储阵列的自动启动功能
支持通过标准复位信令协议、独立复位引脚或数据引脚复位引脚进行硬件复位
包含描述设备功能与特性的串行闪存可发现参数
提供设备识别、制造商识别和识别信息
主阵列具有最低编程-擦除周期数，具体为：256Mb设备64万次，512Mb设备128万次，1Gb设备256万次
所有设备的4KB扇区具有最低30万次编程-擦除周期数
数据保持时间最低为25年
工作电压范围：高速型为1.7V至2.0V，高低压型为2.7V至3.6V
工作温度范围包括工业级、增强工业级以及多个汽车级标准
提供多种封装选项，包括16引脚SOIC、24球BGA和8触点WSON

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Mbit
	时钟频率(fc)	166MHz
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	待机电流	14uA
	擦写寿命	1280000次
	数据保留 - TDR(年)	25年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；ECC纠错；上电复位

S25HL512TDPMHB010

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