S25FL256LAGNFM013

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25FL256LAGNFM013
商品编号: C5880831
商品封装: WSON-8(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.223克(g)

商品参数

商品概述

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65纳米工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。该系列器件通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽度的四路I/O（QIO）与四路外设接口（QPI）命令。此外，还提供用于QIO和QPI的双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。其架构具有页编程缓冲区，允许在一次操作中编程多达256字节，并提供独立的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能。通过使用FL-L系列器件在支持的高时钟速率下配合四路命令，指令读取传输速率可以匹配甚至超越传统的并行接口、异步NOR闪存，同时显著减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并具备多种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和电源有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供的灵活性和性能远超普通的串行闪存设备。它们非常适用于代码影子到RAM、直接执行代码（XIP）以及存储可重新编程的数据。

商品特性

支持多路I/O的SPI接口
时钟极性和相位模式0与3
双倍数据速率（DDR）选项
四路外设接口（QPI）选项
扩展寻址：24位或32位地址选项
串行命令子集和引脚与S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容
多路I/O命令子集和引脚与S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容
读取命令：常规、快速、双I/O、四路I/O、双路输出、四路输出、DDR四路I/O
读取模式：突发回绕、连续（XIP）、QPI
用于配置信息的串行闪存可发现参数（SFDP）
256字节页编程缓冲器
256 Mb（32 MB）/128 Mb（16 MB），3.0 V FL-L闪存
编程挂起和恢复
统一的4 KB扇区擦除
统一的32 KB半块擦除
统一的64 KB块擦除
芯片擦除
擦除挂起和恢复
最低100，000次编程/擦除周期
最低20年数据保持时间
状态和配置寄存器保护
主闪存阵列外有四个独立的256字节安全区域
传统块保护：块范围
独立和区域保护
独立块锁定：易失性独立扇区/块
指针区域：非易失性扇区/块范围
电源锁定、密码或对安全区域2、3及指针区域的永久保护
65纳米浮栅技术
具有CMOS I/O的单电源电压
2.7 V 至 3.6 V
工业温度范围（-40°C 至 +85°C）
工业增强温度范围（-40°C 至 +105°C）
汽车级，AEC-Q100 3级（-40°C 至 +85°C）
汽车级，AEC-Q100 2级（-40°C 至 +105°C）
汽车级，AEC-Q100 1级（-40°C 至 +125°C）
所有封装均为无铅
8引脚SOIC 208密耳（SOC008）– 仅S25FL128L
WSON 5×6 mm（WND008）- 仅S25FL128L
WSON 6×8 mm（WNG008）- S25FL256L和S25FL128L
16引脚SOIC 300密耳（SO3016）
BGA-24 6×8mm，5×5球（FAB024）布局，4×6球（FAC024）布局

应用领域

移动或嵌入式应用
代码影子到RAM
直接执行代码（XIP）
存储可重新编程数据

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	20uA
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	硬件写保护；软件写保护；上电复位